Группа американских ученых, в число которых вошли специалисты из IBM, Macronix и Qimonda, объявила о создании нового типа модулей памяти. Благодаря этой разработке, получившей название PRAM (память с изменением фазы), продолжительность и скорость работы плееров, мобильных телефонов и цифровых камер существенно возрастет.
Как заявляют изобретатели, скорость работы созданных в IBM, Macronix и Qimonda модулей PRAM превосходит аналогичный показатель флэш-памяти (наиболее распространенный тип памяти, используемый при создании мобильников, плееров и т.п.) в 500 - 1000 раз. При этом по уровню энергопотребления PRAM существенно экономичнее флэш - новое изобретение потребляет в два раза меньше электроэнергии.
По сведениям издания Techworld, в продаже подобные модули памяти появятся не раньше 2008 года. Стоит отметить, что подобными разработками занимаются и другие компании, например - корейская Samsung, специалистам которой удалось создать прототип PRAM, работающий со скоростью, в 30 раз превышающей аналогичный показатель флэш-памяти. Об этом сообщает Lenta.ru со ссылкой на AFP.
http://www.inauka.ru
